redmi g 2021 i5-10200H GTX 1650ti能加装内存条和硬盘吗有什么可以推荐?

redmi g 2021 i5-10200H GTX 1650ti能加装内存条和硬盘吗有什么可以推荐?

redmi g 2021 i5-10200H GTX 1650ti能加装内存条和硬盘。

最高可支持2TB硬盘容量扩展,内存最高可扩展至64GB。

Redmi G 游戏本均采用512GB PCle固态硬盘和16GB DDR4 2933MHz双通道大内存。

无特殊需求16GB内存完全够用。

硬盘方面只能加装固态硬盘。

如果要加硬盘我推荐下面几款

1.铠侠RC 20

由东芝出品的中端TLC NVME固态,使用的是东芝112层TLC颗粒,有Dram缓存,很有性价比,RC 20相比RC 10,在缓存外连续读写,随机读写上都有一些进步.

2.西数 SN570

使用西数自家的112层TLC颗粒,无Dram缓存设计,连续缓内读写能跑上3000+,不过缓外比较一般,发热比较低,适合笔记本使用

致钛 TiPLUS 5000

新出的纯国产盘,使用长江存储自家的112层TLC颗粒,无Dram缓存设计,主控比较厉害,读写能跑上3500+,缓外速度也很高,致钛的Xtacking架构拥有比一般固态更多的TBW和寿命。

3.铠侠(东芝)RD 20

高端Pcie 3.0 Nvme固态,使用的东芝自家的96层TLC颗粒,有Dram缓存,读写能跑到3500+,价格也不是很贵,有预算的话非常推荐购买,缺点是温度控制比较激进,如果在笔记本上使用,最好加散热片。

4.致钛PC005

真.纯国产固态,性能凌驾于RC10与之上(但不如RD 20),最近涨价后性价比没原来高了,虽然速度没RD 20快,但TBW总写入量和寿命致钛非常高,在几大能自产颗粒的大厂中是最高的,温度控制较好,所以在笔记本平台也比较适用

5.西数SN770

西数新出的PCIE4.0 盘,采用112层 TLC颗粒,无Dram缓存设计,但是主控性能很高,能跑出5000MB/S的缓内连续读写,相比PCIE 3.0盘有显著提升,温度控制也还好,但是大部分笔记本的第二个M2盘位是PCIE3.0的,4.0的盘插上去连续读写会受限。